硅基氮化镓LED近期将由普莱思半导体投入生产

  英国仅存的几家半导体制造商之一普莱思半导体(Plessey)准备开始生产高亮度LED,制造中将采用剑桥大学所研究的一项备受关注的技术。

  Plessey在英国Plymouth拥有一家6英寸晶圆厂,并在近期收购了剑桥大学的一家衍生公司CamGaN。通过这项交易,Plessey获得了CamGaN公司与硅基氮化镓(GaN-on-silicon)LED磊晶片(epiwafer)制造相关的知识产权,且CamGaN的三名员工将开始为Plessey工作。

  Plessey市场部经理DerekRye表示,在过去18个月,Plessey一直与剑桥团队合作,剑桥大学从事硅基氮化镓技术研究的ColinHumphreys教授将继续担任顾问。

  现阶段尚不确定Plessey将在这个极具竞争力的高亮度LED市场推出什么样的产品,Rye认为已加工的硅片、裸片和LED器件都有可能。现在可以确定的是,Plessey打算购入大量金属有机化学气相沉积(MOCVD)反应器,用于在自己的工厂大规模生产磊晶片。

  Plessey计划在今年底前生产出白光效率为150流明/瓦的硅基氮化镓LED,其性能将可与传统的蓝宝石衬底或碳化硅衬底LED相媲美。

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  硅基氮化镓LED

  Plessey绝不是第一家生产硅基氮化镓LED的企业。中国的晶能光电才是第一家实现硅基氮化镓LED倒桩芯片商业性生产的公司,而上个月欧司朗光电半导体也表示通过与Azzurro半导体的长期合作,已经取得了一些关键性进展,将可以在两年内开始出售硅基LED。

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