Vishay推出的下一代D系列MOSFET

  VishayIntertechnology,Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,推出其下一代D系列高压功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600Vn沟道器件具有低导通电阻、超低栅极电荷和3A~36A电流,采用多种封装。

  D系列MOSFET基于新的高压条带技术,使效率和功率密度达到新的水平。器件的条带设计加上更小的裸片尺寸和端接,使栅极电荷比前一代方案低50%,同时提高了开关速度,降低了导通电阻和输入电容。

  400V、500V和600V器件的导通电阻分别为0.17Ω、0.13Ω和0.34Ω。超低的导通电阻意味着极低的传导和开关损耗,能够在服务器和通信电源系统、焊接、等离子切割、电池充电器、荧光灯、高强度放电(HID)照明、半导体设备和电磁加热的高功率、高性能开关电源应用中节约能源。

  D系列MOSFET中的400V、500V和600V器件的栅极电荷分别为9nC、6nC和45nC,具有*佳的栅极电荷与导通电阻乘积,该值是用在功率转换应用中MOSFET的关键优值系数(FOM),400V、500V和600V器件的FOM分别为7.65Ω-nC、15.6Ω-nC和12.3Ω-nC。

  新的D系列MOSFET采用简单的栅极驱动电路、非常耐用的本体二极管,易于设计到更紧凑、更轻、发热更少的终端产品中。器件符合RoHS指令,符合IEC61249-2-21的无卤素规定,雪崩(UIS)定级让器件能够稳定可靠地工作。

  器件规格表:

 

型号

电压 (V)

ID @ 25 ºC (A)

RDS(ON) @  max 10 V (Ω)

Qg典型值 (nC)

封装

SiHP6N40D

400

6

1.0

9

TO-220

SiHF6N40D

400

6

1.0

9

TO-220F

SiHP10N40D

400

10

0.55

15

TO-220

SiHF10N40D

400

10

0.55

15

TO-220F

SiHG25N40D

400

25

0.17

44

TO-247

SiHP25N40D

400

25

0.17

44

TO-220

SiHU3N50D

500

3

3.0

6

IPAK/TO-251

SiHD3N50D

500

3

3.0

6

DPAK/TO-252

SiHD5N50D

500

5

1.5

10

DPAK/TO-252

SiHP5N50D

500

5

1.5

10

TO-220

SiHF5N50D

500

5

1.5

10

T-Max®

SiHU5N50D

500

5

1.5

10

IPAK/TO-251

SiHP8N50D

500

8

0.85

15

TO-220

SiHF8N50D

500

8

0.85

15

TO-220F

SiHP14N50D*

500

14

0.40

30

TO-220

SiHG14N50D*

500

14

0.40

30

TO-247AC

SiHF18N50D*

500

18

0.27

37

TO-220F

SiHG460B/IRFP460B

500

20

0.25

85

TO-247AC

SiHG22N50D*

500

22

0.23

52

TO-247AC

SiHG32N50D*

500

32

0.16

72

TO-247AC

SiHS36N50D*

500

36

0.13

92

Super TO-247

SiHP17N60D

600

17

0.34

45

TO-220

SiHG17N60D

600

17

0.34

45

TO-247AC

  VISHAY简介

  VishayIntertechnology,Inc.是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1,000强企业”,是全球分立半导体(二极管、MOSFET和红外光电器件)和无源电子元件(电阻器、电感器、电容器)的*大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略,以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。

THE END
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